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芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

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  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

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  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

LED粉层中的学设计及测量

通过改变荧粉层粉体的粒度、厚度、形状、固晶位置等参数,可以改变白LED、颜色参数和空间强分布。论文的第一、二章分别介绍了白LED的基本状况、蒙特卡罗法的基本理论,分

  https://www.alighting.cn/resource/2012/1/10/153345_93.htm2012/1/10 15:33:45

自动调的背照用白色LED驱动器

rohm株式会社最近开发出一种能够自动调的背照用白色LED驱动器,这种型号为『bd6095gul』的新产品能够根据液晶显示屏周围的亮度,以及显示出的图像信号的亮度来自动调节显

  https://www.alighting.cn/news/20071120/V8489.htm2007/11/20 9:33:15

东微半导体成功量产直流大功率充电桩用核心芯片 可用LED照明

一块手机sim卡大小的芯片,却能承载超过700伏的电压,导通电阻仅有30毫欧,实现低耗的电能转换。这就是新能源汽车充电桩的“心脏”mosfet(金属氧化物半导体型场

  https://www.alighting.cn/pingce/20160419/139527.htm2016/4/19 9:44:55

蓝、绿LED芯片技术发展

文章简要介绍了ssl 技术的材料物理基础以及器件的基本光电参数特征袁在此基础上回顾了该技术发展历程的关键节点遥针对该技术核心应用领域要要固态节能照明发展的需要袁对未来技术发展趋势也

  https://www.alighting.cn/2014/10/9 10:15:47

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