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芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

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  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

LED粉层中的学设计及测量

通过改变荧粉层粉体的粒度、厚度、形状、固晶位置等参数,可以改变白LED、颜色参数和空间强分布。论文的第一、二章分别介绍了白LED的基本状况、蒙特卡罗法的基本理论,分

  https://www.alighting.cn/resource/2012/1/10/153345_93.htm2012/1/10 15:33:45

自动调的背照用白色LED驱动器

rohm株式会社最近开发出一种能够自动调的背照用白色LED驱动器,这种型号为『bd6095gul』的新产品能够根据液晶显示屏周围的亮度,以及显示出的图像信号的亮度来自动调节显

  https://www.alighting.cn/news/20071120/V8489.htm2007/11/20 9:33:15

尊重历史,保护文物, 找艾格罗好

若使文物古建彻底避免火灾隐患,使用投方式可能是目前照明领域最优解。艾格罗的精准远投、色彩还原、复合配等技术可以解决文物古建无近距安装位、夜间色彩暗淡等问题。

  https://www.alighting.cn/news/20191204/165461.htm2019/12/4 10:14:11

东微半导体成功量产直流大功率充电桩用核心芯片 可用LED照明

一块手机sim卡大小的芯片,却能承载超过700伏的电压,导通电阻仅有30毫欧,实现低耗的电能转换。这就是新能源汽车充电桩的“心脏”mosfet(金属氧化物半导体型场

  https://www.alighting.cn/pingce/20160419/139527.htm2016/4/19 9:44:55

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