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肖国伟:通过芯片与模组光源创新技术路线

随着led效率提升,中上游led产业的技术重点将逐步向降低成本、提升led器件性能方面发展。未来以led外延、芯片、封装材料为核心的中上游led技术,仍然是技术发展的重点。如果没

  https://www.alighting.cn/news/20100515/85869.htm2010/5/15 0:00:00

我国半导体照明产业已进入快速发展的上升期

我国半导体照明产业和技术取得显著进步,初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系,进入快速发展阶段。

  https://www.alighting.cn/news/2010513/V23698.htm2010/5/13 17:24:14

我国半导体照明产业已进入快速发展的上升期

、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系,进入快速发展阶

  https://www.alighting.cn/news/20100513/91822.htm2010/5/13 0:00:00

[原创]led灯

形,所以可以制备成各种形状的器件,并且适合于易   变的环境   4. 稳定性: 10 万小时,光衰为初始的 50%   5. 响应时间:其白炽灯的响应时间为毫秒级, led

  http://blog.alighting.cn/sanjs_led/archive/2010/5/12/43960.html2010/5/12 17:32:00

[原创]led灯

形,所以可以制备成各种形状的器件,并且适合于易   变的环境   4. 稳定性: 10 万小时,光衰为初始的 50%   5. 响应时间:其白炽灯的响应时间为毫秒级, led

  http://blog.alighting.cn/sanjs_led/archive/2010/5/12/43958.html2010/5/12 17:31:00

[原创]led灯

形,所以可以制备成各种形状的器件,并且适合于易   变的环境   4. 稳定性: 10 万小时,光衰为初始的 50%   5. 响应时间:其白炽灯的响应时间为毫秒级, led

  http://blog.alighting.cn/sanjs_led/archive/2010/5/12/43959.html2010/5/12 17:31:00

王军喜:加大深紫外材料生长和器件应用的研究开发

未来主要研究目标是研究高质量的深紫外材料外延生长技术;高al组分algan材料生长技术和掺杂技术;深紫外led结构设计;波长300nm以下led器件芯片制作工艺和封装技术;面向医

  https://www.alighting.cn/news/20100512/85867.htm2010/5/12 0:00:00

led灯与普通照明灯的区别

新型led显示器件有功耗低、亮度高、寿命长、尺寸小等优点,本文从led显示器件的发展简史开始,探讨了表面贴装led、汽车应用中的led和照明用led的发展趋势,对于从事显示器件

  http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00

是“炒作、还是敢作”

及整体科研上投入巨资改进电路及生产工艺,对原器件的选择又有更高的标准,可以说在品质及稳定上有完整的提高,今年3月份,有部分用户反映某款部分节能灯存在质量问题。小白龙在给用户换货后,对

  http://blog.alighting.cn/ycu2008/archive/2010/5/10/43638.html2010/5/10 10:13:00

led灯具取代传统生活照明的技术挑战

由于led在原器件的物理特性差异,制作光源系统的观念则与传统设计大不相同,需要有更多方面的技术与专业辅助。

  https://www.alighting.cn/news/201056/V23613.htm2010/5/6 8:24:19

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