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leD的多种形式封装结构及技术

下,leD的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。   另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00

用qte实现sbc一241ox上的leD控制

x是广州友善之臂公司设计的一款基于arm9的开发板,操作系统是韩国的mizi-linux。sbc-2410x不同于uclinux,它的接口丰富,且支持mmu、qte2.3.7,同时提

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133874.html2011/2/19 23:36:00

蓝光photonic crystal leD技术获得大突破

与有固态发光元件差异 光子晶体有3个光学特性,可以利用人工的方式来加以控制而达到不同的目的。 第一个特性是,如果利用光能隙的话,就可以遮蔽光通过。利用这个特性可以把光锁在一个相当狭

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133877.html2011/2/19 23:37:00

光纤leD驱动电路的设计

是本文要讨论的重点。3光纤通信器件的选择 一个基本的光纤通信系统非常简单:一个leD发射器将电信号转变成光信号,并将之耦会进入传输光纤中,光信号通过光纤到达光接收器,它把接收到的

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134091.html2011/2/20 22:14:00

聚光条件下太阳电池的热电特性分析

值模拟,下面就计算结果进行详细讨论。 2.1串联内阻的影响 由前面太阳电池的等效电路可以看出,串联内阻会降低短路电流,降低负载两端的电压,引起电池转换效率的下降。图2和图

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00

面向汽车应用的leD驱动技术浅谈

器的背面照明)或白光leD(用于普通照明)。由于这些leD通常具有一个3v至4v的正向电压,并由一根12v至14v的汽车总线来供电,因此需要采用一个降压型转换器(例如:lt347

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00

堆叠式leD结构实现紧凑型多通道光学耦合器

压绝缘。最后,器件使用不透明的浇铸化合物浇铸。 平面工艺 (图3) 在平面工艺中,leD和ic位于与引线框和焊接线相同的平面中。然后使用一层透

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00

leD与leD驱动器的搭配设计及其运用

路的leD烧成断路。 3、leD采用混联方式 在需要使用比较多leD的产品中,如果将所有leD串联,将需要leD驱动器输出较高的电压。如果将所有leD并联,则需要leD驱动

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134108.html2011/2/20 22:48:00

高亮度leD之「封装光通」原理技术探析

射上,在algainp的结构中增加一层Dbr(DistributeD bragg reflector)反射层,将另一边的光源折向同一边。gan方面则将基板材料换成蓝宝石(sapphire,al2o

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

下一代汽车照明电源

射到尽量大的面积,而不是产生聚焦光束。图3

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