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始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快。在器件额定功率1w 附近,发光效率为13 lm/w 。发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
脂封装成型的半导体器件是由不同的线膨胀系数的材料组成的。在封装器件内部，由于成型固化收缩和热收缩而产生的热应力，是强度下降、老化开裂、封装裂纹、空洞、钝化、离层等各种缺陷的主要原因。
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
土 发光二极管led （light emitting diode）是一种可将电能转换为光能的能量转换器件，具有工作电压低，耗电量少，性能稳定，寿命长，抗冲击，耐震动性强，重量
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
、高效节能等优异特性在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景，成为半导体领域的研究热点，国内外很多科研机构和企业先后开展了GaN基材料、器件的相关研究，在材
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
１、引言 ｌｅｄ是一种可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，由于具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色纯、结构牢固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
tps7510x 线性低压降 (ldo) 匹配 led 电流源专门针对低功耗小键盘与导航台 led 背景照明应用而设计。该器件可为多达四个非匹配 led（两个 led 为一组，
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
们是研诺wled驱动器产品线上的第一个此种类型的器件，分别带有研诺专有的as2cwire接口和行业标准的i2c接口。这两种总线额外的处理能力为设计师们在调整驱动电流以改变wled的亮
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120536.html2010/12/13 23:00:00
样的情况：在焊接ic器件时，固化后，所有的引脚还落在焊盘上，但经过波峰焊后ic引脚会出现移位甚至离开焊盘并产生焊接缺陷。因此，要保证焊接质量，应坚持每个产品均要做温度曲线，而且要认
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