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转型与超越 明纬电子三十五载的自我突破

今年是明纬电子成立的第三十五个年头,也是明纬电子第10次参加光亚展,此次展会明纬电子围绕着“转型与超越”这一主题,携带了大量led照明系统电源类的产品亮相光亚展,其中包括明纬电

  https://www.alighting.cn/news/20170610/151064.htm2017/6/10 23:34:12

明纬最新推出kaa-4r4v knx led 调光执行器

标准电源领导品牌制造商—明纬,自2017年推出首款搭载knx技术标准的标准电源后,致力于推广knx楼宇自动化控制技术,并陆续推出符合国际标准的knx相关产品。为持续提升产品齐全

  https://www.alighting.cn/news/20181229/159691.htm2018/12/29 17:05:48

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

全球led芯片品牌名单汇总

台湾led芯片厂商:  晶元光电(epistar)简称:es、(联诠、元坤,连勇,国联),广镓光电(huga), 新世纪(genesisphotonics),

  http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55

led散热基板的设计及工艺分析

之led功率已经不只1w、3w、5w甚至到达10w以上,所以散热基板的散热效能儼然成为最重要的议题。影响led散热的主要因素包含了led芯片芯片载板、芯片封装及模组的材质与设计,

  https://www.alighting.cn/resource/20131115/125117.htm2013/11/15 14:40:27

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