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随着技术的发展，led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
防静电、防过电流和过电压冲击是工程师设计电子产品时必须考虑的一个问题。本文集中探讨了目前市场上所有的电路保护技术，并展望了未来电路保护器件的发展方向。 过流保护：保险
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00
往国际市场。第二，具有优良的性能：产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高。第三，器件封装工艺简单：芯片为上下电极，单引线垂直结构，在器件封装时只需单电极引线，简化了封装工艺，节
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
对于有机电致发光器件，我们可按发光材料将其分为两种:小分子oled和高分子oled（也可称为pled）。它们的差异主要表现在器件的制备工艺不同:小分子器件主要采用真空热蒸发工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
: ag（10: 1），li:al (0.6%li) 合金电极，功函数分别为3.7ev和3.2ev。优点：提高器件量子效率和稳定性；能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c．层状阴极
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
合红、绿和蓝三色led发出的光，也可利用蓝光led和黄光荧光粉来实现。两种选择都需要基于GaN的蓝光led，所有不同类型的这种器件都有一个共同的缺点：大部分的光被束缚在有源区内，不
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
辉（＜0.1μsec）特性和亮度特性。后来，在70年代被应用在高压汞灯中，主要用来提高高压汞灯的显色性。进入90年代后，该荧光粉成为蓝光led晶片首选的荧光材料，由于在led器件中
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
3） ·硅 (si) 碳化硅（sic）[/url] 蓝宝石衬底 通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
“蓝光技术”与荧光粉配合形成白光；第二种是多种单色光混合方法。这两种方法都已能成功产生白光器件。第一种方法产生白光的系统如图1所示，图中ledgam芯片发蓝光（λp=465nm），
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120507.html2010/12/13 22:42:00
