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高亮度led之「封装光通」原理技术探析

度的led,其使用的封装技术若没有对应的强化提升,那么高亮度表现也会因此打折,因此本文将针对hb led的封装技术进行更多讨论,包括光通方面的讨论,也包括导方面的讨论。 附注:大

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

技术洞察-突破ingan缺陷障碍 积极应用不均匀的结晶结构

量,结果显示,发现ingan具有很好的发光能力的原因是,因为在含有in的氮化物半导体中,电洞被由in和氮原子组成的集团(局部效应)有效的捕获,能量没有转化成,而是有效的转化成了

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

起封装料退化是合理的。 对于封装材料的退化,d.l.barton等人的研究试验表明[1-4],塑料在150℃左右会由于单纯的效应使led的光输出减弱,尽管在寿命试验中没有发现塑

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00

si衬底gan基材料及器件的研究

摘要:gan具有禁带宽、导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

集成功率级led与恒流源电路一体化设计

级led;恒流;阻;沉;硅基板 中图分类号:tn312+.8 文献标识码:a 文章编号:1003-353x(2006)01-0059-03 1 引言 目前,功率级le

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

光层mqw的品质并没有成正比成长,其原是发光层中铟indium的高挥发性和氨nh3的裂解效率低是mocvd机台所难于克服的难题,氨气nh3与铟indium的裂解须要很

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00

光纤照明和led照明的比较

的应用很广泛,现根据不同的使用地点和产生的效果对其典型应用进行分析说明。 1)电视会议桌面照明 采用端发光系统,配置聚光透镜型发光终端附件由顶部垂直照射,在桌面形成点状光斑,适

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134110.html2011/2/20 22:49:00

led封装结构及其技术

而增加,目前,很多功率型led的驱动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低阻封装结构及技术,改善特性。例如,采用大面积芯片倒

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00

聚光条件下太阳电池的电特性分析

小,其成本会越高,因此并不是光强越高越好,而是存在一个成本最低的最佳光强。 2.2换系数的影响 太阳光照射到太阳电池上,一部分转变为电,而大部分却转变为,使太阳电池温

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00

基于cpld的led大屏幕视频控制系统

号以19行数据刷新时间为周期进行垂直扫描。 3 视频控制器单元的实现 3.1 灰度扫描方法 对于多灰度级led大屏幕显示而言,灰度的分层(灰度扫描)显示方法是视

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