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1 引言 led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重
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片光电参数配合:半导体工艺的特点,决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强)和电学(如正向电压)参数差异。rgb三基色芯片更是这样,对于白光色度参数影响很大。这
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
用bicmos工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8v(dc)到450v(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300khz的固定频率驱动外部mos-fe
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133822.html2011/2/19 23:15:00
d在正向偏置时发光。为保证显示质量,需要采用恒流驱动器来补偿led电压降及温度变化的影响,从而确保稳定的光输出。 与ccfl不同,led背光不需要很高的交流电压,因此也就不
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大,但对电流的需求变小。led驱动电路输出的led电压必须大于串联中总的vf电压。通常,额定led输出电压越接近串联中总的vf电压,led的效能越大。
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凑和极具成本效益的热关断电路。vtherm跌落至1.2v内部基准电压以下时,比较器a将en拉低到地。当热敏电阻(r2)温度很高时,就会执行该操作。比较器b用于提供开路失效保护功能,即
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拟电压,并通过点状模式点亮10个led中的一个,或以柱形图模式逐个点亮led的方法,显示电压大小。最近,有个应用需要显示模拟输入电压,要求具有线性或对数刻度格式下10个以上等级的le
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制交流输入电压每个半周期中的导电时间长短来控制光密度。三端双向可控硅可有效地对输入的交流电压执行脉宽调制(pwm)功能。在交流周期的初期等待较长时间后再打开三端双向可控硅可以降低光
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得更好的效果。jfet可以被看作是一个压控电阻。通过简单地调节栅源极电压,使源极能够提供相对稳定的电流,以此作为串联led的电流源。当漏极电压与未经调整的开关型蓄电池相通连时,便能提
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其建立正常工作状态的前降电压vf,根据led的特性vf典型值为3.4v,一般选择为3.2-3.5v,vf不宜太低或太高;其次恒流供电最理想,流过led的电流大小与led的发光亮度有
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