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为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

led 是light emitting diode (发光二极管)的缩写，是一种由半导体技术制成的电光源。led的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n

http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49

led 是light emitting diode (发光二极管)的缩写，是一种由半导体技术制成的电光源。led的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n

http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15

介 945.1.1 led平板灯参数及特点 945.1.2 主要零部件 945.2 led平板灯结构设计 955.2.1 led侧发光结构设计分析1 955.2.2 led侧发光结构设

http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/11/5/360207.html2014/11/5 22:09:28