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1。 从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
使用光子晶晶体技术可以提高发光二极管的出光效率。本论文将从两种结构来验证光子晶体技术可以提高芯片的 外部量子效率。一是倒装芯片结构的使用，即将两个发光面制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
用具有自己知识产权的倒装技术生产的大功率芯片取得了重大突破，经检测，55mil芯片在电压2.95v，电流350ma状态下，取得了光通量134.4lm，光效也达到130lm/w。可
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
1、倒装（flip chip） 1998年lumileds公司封装出世界上第一个大功率led（1w luxoen器件），使led器件从以前的指示灯应用变成可以替代传统照明的新
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
" width=360 从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜（p欧姆电极）、gan外延层、粗化表面和au电极。这
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
ａ甚至１ａ级，这就需要改进封装结构，采用全新的ｌｅｄ封装设计理念和低热阻封装结构及技术、改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
目前，led行业发展的主要的瓶颈就在技术层面，专利被大量注册在某种层面上的也制约了新技术的传播和发展，本章介绍六种在led生产中的技术；
https://www.alighting.cn/resource/20101129/128179.htm2010/11/29 17:27:34
led芯片的倒装焊技术可以有效提高光效和可靠性。本文简要介绍下国内apt倒装焊技术的概况；
https://www.alighting.cn/resource/20101129/128182.htm2010/11/29 16:41:55
2.2硅底板倒装法： 首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸led芯片（flip chip led）。同时制备出相应尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
