站内搜索
差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。3、晶冠成长(crown growth)长完颈部后,慢慢地降低拉速与温度,使颈部的直径逐渐增加到所需的大校4、晶体成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
度适合。?ゼbr②可获得电导率高的p型和n型材料。③可获得完整性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
1)灯具系统的热量管理一般常称led为冷光源,这是因为led发光原理是电子经过复合直接发出光子,而不需要热的过程。但由于焦耳热的存在,led在发光的同时也有热量伴随,而且对于大功
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00
效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度;通过各子像素的光能量,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00
近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质 量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00
理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术英文名称;metal-organic chemical vapor deposition(mocvd)检索词:汽相外延;薄层外延;晶体生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00