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提高GaN基发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展,本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射

  https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30

蓝宝石图形化衬底的GaN基led大功率芯片的研究和产业化

本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底,在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提

  https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44

比利时大功率led新技术 用硅基氮化

比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划,目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-si),并开发高效率、大功率白光led,致力于推动氮化

  https://www.alighting.cn/news/2009721/V20310.htm2009/7/21 11:27:11

led照明商场迎来开展机缘 稀有金属和铟或获益

(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展,将会股动和铟需要的疾速增长,也会股动越来越多的公司和自己重视铟和

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28

薄化氮化物led衬底可提升绿光led光效

薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress),这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化和蓝宝石之

  https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15

美研究人员开发新方法 或可让led达到零光衰?

伊利诺大学香槟分校研究人员发展出一种新的方法,提升绿光led亮度并且提高其效率。

  https://www.alighting.cn/pingce/20160803/142501.htm2016/8/3 9:46:58

普瑞实验采用新材料制造led灯泡

普瑞4月5号发布的这一公告不仅会对led制造业产生很大的影响,而且还能大大降低固态技术的生产成本。

  https://www.alighting.cn/news/201146/n324131114.htm2011/4/6 19:56:53

11台mocvd下单 江西睿能光电拟再投入5亿

睿能光电还将投入5亿元进行厂房建设、购买设备等。按照项目规划,一期占地200亩,可形成年产2英寸led外延片97万片的生产规模。

  https://www.alighting.cn/news/20110331/115742.htm2011/3/31 17:57:56

普瑞实验采用新材料制造led基板 成本下降

普瑞4月5号发布的这一公告不仅会对led制造业产生很大的影响,而且还能大大降低固态技术的生产成本。美国加州公司表示,它已成功地将硅晶片首次使用在商品级led组件中。

  https://www.alighting.cn/news/20110407/116057.htm2011/4/7 10:26:54

普瑞光电新一轮融资4000万美元

2008年4月8日,面向高亮度、固态照明市场的led技术供应商普瑞光电(bridgelux)宣布,已完成总值约为4000万美元(私募股权投资3000万美元,银行信用贷款约1000万

  https://www.alighting.cn/news/20080410/118848.htm2008/4/10 0:00:00

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