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硅衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度高且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

美科学家开发下一代“完全整合”led元件

伦斯勒理工学院(rensselaerpolytechnicinstitute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布,已经成功地在相同的氮化(GaN)上整合led和功率电晶体。研

  https://www.alighting.cn/news/201371/n318353327.htm2013/7/1 10:13:24

led发展编年史

管。1993年,在日本日亚化工(nichia)工作的中村修二成功把氮渗入,造出了基于宽禁带半导体材料氮化GaN)和铟氮化(inGaN)、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01

硅基氮化在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

缓冲层生长压力对mocvd GaN性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

led专利竞争日益激烈 企业需警惕

亿美元。在高亮度led产品中,GaN基芯片由于产品附加值高,各国(地区)竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区

  http://blog.alighting.cn/sbf6103/archive/2013/6/22/319750.html2013/6/22 23:28:55

新纳晶光电:利用外延技术优势主攻led光引擎

苏州新纳晶光电有限公司成立于2008年,主要从事氮化物led照明产品的生产及照明节能工程的推广应用。日前,新纳晶首次登上第18届广州国际照明展的大平台上展现风采,期间阿拉丁照明

  https://www.alighting.cn/news/2013621/n821953009.htm2013/6/21 11:18:47

三安光电拟不超2.8亿元购mocvd扩充生产线

三安光电6月18日晚董事会公告称,公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司拟不超2.8亿新增国际先进的20台单腔机或5台四腔连体机氮化mocvd设备及扩充部分led芯片产线。

  https://www.alighting.cn/news/20130619/112318.htm2013/6/19 9:47:42

2013ls:晶能-硅衬底上氮化基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

led企业将向两极分化过渡

 其实,产业整合从2012年已经开始。继一连串的整并与入股事件后(包括晶元光电收购广、隆达合并威力盟、三安光电入股璨圆等),2013年,大企业仍将进一步运用资本势力扩大营运规模以降

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/6/18/319319.html2013/6/18 11:38:43

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