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非直接俄歇效应是氮化物基led光效下降主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

氮化物基led光效下降 非直接俄歇效应是主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00

加州大学学者宣称发现氮化物led光效下降主因

相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中,用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00

超长寿命 东芝发布led照明产品规格书

东芝照明在2012年12月就宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化led的工艺,通过采用新型硅上氮化(gan-on-si)技术来生产led芯片,并且已经准备开始量产。

  https://www.alighting.cn/news/201317/n279747771.htm2013/1/7 16:22:26

住友化学收购日立金属复合半导体业务

近日,住友化学宣称将收购日立金属的复合半导体材料业务,涉及的复合半导体材料包括氮化(gan)基板、氮化外延片、砷化(gaas)外延片等。

  https://www.alighting.cn/news/20150318/110154.htm2015/3/18 9:48:37

国际研究:ingan量子井在led的局限性

氮化(ingan)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22

美研发出单片集成三色led,未来将包含更多颜色组合

基于氮化技术和现有的制造设施,应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06

中科院科学家利用应变量子点让led发白光

中国科学院的陈弘与其研究团队利用晶格松弛(lattice relaxation)的特性,来控制氮化/氮化(gan/ingan)量子阱中铟的沉淀(precipitatio

  https://www.alighting.cn/resource/20090505/128690.htm2009/5/5 0:00:00

aixtron推出新款mocvd设备aix g5 ht

成高质量的氮化沉淀,产量超过前一代系统的1倍,氮化/氮化也有优异的均一

  https://www.alighting.cn/news/20100301/106392.htm2010/3/1 0:00:00

工程师分享之led荧光粉篇

荧光粉的材质对白光led的衰减影响很大。市场最主流的荧光粉是yag钇铝石榴石荧光粉、硅酸盐荧光粉、氮化物荧光粉,与蓝光led芯片相比荧光粉有加速老化白光led的作用,而且不同厂

  https://www.alighting.cn/resource/20121226/126239.htm2012/12/26 13:50:28

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