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战来自于热处理议题。这是因为在高热下，晶格会产生振动，进而造成结构上的改变（如回馈回路变成正向的），这将降低发 光度，甚至令led无法使用，也会对交错连结的封入聚合
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271763.html2012/4/10 23:32:00
体材料大致可分为小分子器件和高分子器件（ pled ）两种。小分子 oled 技术发展的较早，因而技术也较为成熟。高分子器件（ pled ）的发展始于 1990 年，由于聚合物可以采
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271746.html2012/4/10 23:30:47
断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度，利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等，使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271741.html2012/4/10 23:30:25
有的应用于笔记本或桌面系统的lcd都使用薄膜晶体管（tft）激活液晶层中的单元格。tft lcd技术能够显示更加清晰，明亮的图象。早期的lcd由于是非主动发光器件，速度低，效率差，对比
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271702.html2012/4/10 23:23:05
术的改善，信用卡将可加入更复杂的半导体与其它组件。将led (light-emitting diodes) 技术应用到薄膜上，之后可以嵌入许多装置中。目前agilight的led条
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271607.html2012/4/10 23:10:59
、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271420.html2012/4/10 21:43:01
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271417.html2012/4/10 21:42:52
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271193.html2012/4/10 21:03:28
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
