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采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
根据公开资料统计，仅2011年1月至7月，我国led行业计划新增投资总额1256.18亿元，其中超过40%的资金是在多个产业环节投资，甚至是进行全产业链投资;上游的衬底和外延芯
https://www.alighting.cn/news/20110916/90159.htm2011/9/16 17:30:31
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
近期，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80测试数据。
https://www.alighting.cn/news/20131016/n241757471.htm2013/10/16 8:58:15
近日，tt electronics/optek technology公司开发出一种导热的铝制散热衬底，称为高导热optotherm ocb201系列，可用于可见光发光二极体（le
https://www.alighting.cn/news/20080318/107021.htm2008/3/18 0:00:00
项目落户包头装备制造产业园区新规划区，总投资50亿元人民币，达产后可形成年产2500万片led蓝宝石衬底，预计可实现年销售收入100亿元以上。
https://www.alighting.cn/news/20110728/114833.htm2011/7/28 11:44:23
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
si衬底led芯片制造工艺 si衬底led封装技术 解决方案： 采用多种在线控制技术 通过调节p型层镁浓度结构 采用多层金属结构 1993年世
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。氮化铟镓是蓝，绿和白光led和蓝激光管生产的主要复合半导体材料。
https://www.alighting.cn/news/2007821/V8265.htm2007/8/21 11:29:42
