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利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
作为led衬底材料的蓝宝石成为led产业链条上一种关键的原材料，其品质的好坏对中下游产品的生产有着严重影响。蓝宝石长晶技术与设备工艺成为蓝宝石品质的重要保障。
https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:22:29
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
11月22日，2019年新当选科学院院士名单正式公布。硅衬底led技术发明人、晶能光电创始人、南昌大学副校长江风益教授赫列其中，这是国家对其科学成就的最高荣誉，也是继硅衬底le
https://www.alighting.cn/news/20191122/165240.htm2019/11/22 10:37:20
从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/2010514/V23716.htm2010/5/14 9:42:25
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
2007年3月2日，松下(panasonic)宣布开发出使用gan衬底的蓝光led芯片，其在350ma下的总辐射通量为355mw，外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月
https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00
根据此前公告，公司拟以不低于每股5.15元的价格，非公开发行不超过6000万股，募集资金总额不超过3.09亿元，拟用于“年产115万片4英寸led蓝宝石衬底材料技改项目”及补充流
https://www.alighting.cn/news/2013923/n653456606.htm2013/9/23 9:58:43
上游芯片材料蓝宝石衬底也告急缺货，第2季起价格调涨2成，led业者表示，预计供应缺口将持续至年底，目前正大肆展开供应厂商认证作业，以防年底缺货冲击加深，至于应用端影响，估计对于t
https://www.alighting.cn/news/2010426/V23519.htm2010/4/26 9:10:24
