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si基ceo_2薄膜的发光特性

峰。结合激发光谱、吸收光谱以及xrd分析表明:ceo2薄膜在高温下容易发生失反应,出现ce4+→ce3+离子转变,ce3+离子在紫外光的激发下,电子由o2p跃迁到5d能级,再由5

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00

白光led用红色荧光粉lieu_(1-x)y_x(wo_4)_(0.5)(moo_4)_(1.5)的制备及其发光性能研究

效激发,发射峰值位于615nm(eu3+离子的5d0→7f2跃迁)的红光

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 15:09:16

红外辐射和辉光放电的介绍

红外辐射:波长大于可见辐射的光辐射。辉光放电:阴极的二次发射远比热离子发射强得多的放电形式。

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246982.html2011/10/20 17:54:07

照明系中的“发光”解析

照明系中的“发光”就是指:原子、分子或离子由于受能量的激发而产生的某一波长或波长范围内的光辐射,这种光辐射的能量超过了在相同温度下该材料产生的热辐射的能量。

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246962.html2011/10/20 17:53:18

改变oled的亲水性/斥水性

刻的同仁应该都知道,现在r3t在德国muegge旗下。这个蚀刻机用的是纯化学的方式蚀刻,没有离子损伤,没有有机残留物,没有热冲击(仅依***反应能量进行)对金属(如镍, 镍/铁,

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246934.html2011/10/20 17:48:06

深度解析:中国的灯具行业为何大而不强

体利润低。led芯片企业目前整体上投入很大,但2009年led芯片行业销售额仅20多亿元人民币,并且大部分led芯片企业为利润或没有利润。led芯片企业2009年底达62个,随

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246847.html2011/10/20 17:42:30

p型透明导电cu-al-o薄膜的制备与光电性能研究

膜进行了表征和分析。研究了退火温度、氩比和溅射功率对薄膜光电特性的影

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02

2011年led封装及模块恐成长

pida预估2011年台湾前10大led封装与模块厂商营收总计达新台币708亿元,相较去年约衰退4%。

  https://www.alighting.cn/news/20111018/90054.htm2011/10/18 10:20:55

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

mocvd法制备磷掺杂p型zno薄膜

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯气和五化二磷粉末分别作为源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25

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