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晶能光电孙钱:硅氮化镓大功率led的研发及产业化

在“2013新世纪led高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上,晶能光电(江西)有限公司硅led研发副总裁孙钱博士就“硅氮化镓大功率led的研发

  https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59

首尔半导体与世第吉公司签订全球销售合同

led企业首尔半导体称,3月8日与电子元器件流通企业第吉公司签订全球销售合同。第吉公司是流通多种工程、设备行业正在使用的综合电子元器件的企业,通过与首尔半导体的协议,签订了流

  https://www.alighting.cn/news/20100309/105614.htm2010/3/9 0:00:00

plp-18w投光工矿灯电源——2017神灯奖申报技术

plp-18w投光工矿灯电源,为深圳市新华电子有限公司 2017神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170406/149539.htm2017/4/6 15:00:35

led光源驱动设计及周边器件的选择

该篇文章主要介绍了led光源驱动设计及周边器件的选择,主要有驱动ic的选择,电感选择,emc电感的选择,输出电容的选择,输入电容器的选择,肖特二极管的选择,led恒流驱动器

  https://www.alighting.cn/resource/2010820/V1154.htm2010/8/20 16:08:28

大功率led封装技术研究

板工作时温度、光效和电流的关系,并与铝覆铜板作为封装板时进行了比

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125920.htm2013/3/11 10:11:24

armor 阿尔膜apr6混合碳带

armor 阿尔膜apr6混合碳带 广州万碧是armor系列碳带在中国地区的代理商 armor(呵护打印头、防止静电)碳带:armor awr470碳带、armor awr

  http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2010/10/29/110591.html2010/10/29 14:37:00

牺牲ni退火对硅衬底gan发光二极管p型接触影响

本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底ganled薄膜p型欧姆接触的影响,在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34

ingan白光led光谱特征和结温相关性研究

结果表明:ingan白光led蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54

si衬底gan蓝光led钝化增透膜研究

在si衬底gan 蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。

  https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30

285路灯入驻大连东港 灯杆均经防腐处理

本月初,由大连市路灯管理处承建的东港商务区路灯工程正式开工。全长5700米的纵横两条道路上,双侧安装12米400w路灯285,工程总造价869.55万元。

  https://www.alighting.cn/news/2012914/n663943465.htm2012/9/14 8:51:52

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