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新型led外延片在航天基地试产成功

据了解,由该型外延片制成的成品灯能将1瓦电能转化为100ml(光亮度单位)光能,比目前全球市场通用的led成灯光效能提高约3成。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130130/121960.htm2013/1/30 9:49:20

台led外延厂努力增资寻求合作伙伴

据了解,广镓、璨圆、泰谷三家外延厂分别决议办理可转债及私募案。除准备扩充产能外,也希望顺利引进策略联盟伙伴,并壮大股东阵容。

  https://www.alighting.cn/news/20080331/118767.htm2008/3/31 0:00:00

蓝宝石基板需求畅旺 业者扩充产能供需仍吃紧

蓝宝石基板的上游为蓝宝石长晶,此阶段难度颇高,因此过去多由美商rubicon technology和俄商monocrystal把持,且由于2009年前的市场需求不大且价格低落,因

  https://www.alighting.cn/news/20110602/90572.htm2011/6/2 9:27:51

华星光电实现月投1.8万片液晶玻璃基板

此次公告还首次披露,作为tcl集团打通产业链上下游重要环节的华星光电第8.5代液晶面板生产线项目12月份共投入1.856万片液晶玻璃基板,实现了2011年底达到月投入1.8万片液

  https://www.alighting.cn/news/20120112/114641.htm2012/1/12 9:39:35

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

GaN基大功率白光led的高温老化特性

对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%~33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原

  https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17

si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

晶电取得allos技术授权 硅基板led量产有望

晶电与德国的工程顾问公司allos semiconductors于今日共同宣布,晶电取得GaN-on-si的技术授权并已经成功完成第一阶段的技术转移。 本技术转移计划在晶电外延

  https://www.alighting.cn/news/20150312/110161.htm2015/3/12 9:22:41

【led照明第二幕】(三)东芝快速推进实用化,实现“发光的线”

以往的采用蓝宝石基板的led也开发出了csp技术,但东芝的led使用si基板,csp工序也可沿用现有半导体制造技术,制造更容易。例如,在基板的去除工序中,蓝宝石基板需要使用激光,

  https://www.alighting.cn/news/20140630/97439.htm2014/6/30 14:37:41

【led照明第二幕】(二)绿色led取得突破,利用si基板大幅削减成本

GaN on si并不是新技术。该技术虽然备受期待,但直到最近才开始推进实用化,这是因为一直未能解决技术课题……

  https://www.alighting.cn/news/20140630/97440.htm2014/6/30 14:09:34

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