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赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率，从
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy)，强化产品效能、延长使
https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28
日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31
strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出，目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长，这将推动类似GaN和aln等先进衬底市
https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00
美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.（tdi）日前宣布，该公司推出4英吋，约100毫米的GaN磊外延片和al
https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00
