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对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
esd耐受电压是反映led芯片性能的一项重要指标，可用于评估led在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率，是目前led研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le
https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型GaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将GaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
炉领域，并自主研发出85公斤级蓝宝石衬底炉。刘董自信地表示，未来半年，晶蓝德的大尺寸蓝宝石长晶炉能基本稳定地生产超100公斤的晶体。 行业暂时的低谷提供了洗牌整合的机会，但这对整
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/3/27/312588.html2013/3/27 8:53:05
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
【led幕墙屏网】硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米，却具有很高的发光潜力。现在，来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(kit)和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
根据美国商业资讯报导，极特先进科技公司(gt advanced technologies)(nasdaq:gtat)与soitec(nyse euronext:soi)宣布一项开发
https://www.alighting.cn/news/20130320/112560.htm2013/3/20 11:28:14
术指标以及产品稳定性等方面均彰显出了国内绝对领先的优势，尤其突出的新产品有：s-45ebmup GaN基led功率型蓝光芯片，光通量45lm, 广泛应用于40寸以上液晶背光及照明领
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/3/19/311270.html2013/3/19 16:13:18
一份关于蓝宝石衬底的详细介绍，现在分享给大家，欢迎各位下载附件，查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:05:11
