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型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
子发射产生可见光。 （一）led的发展历史应用半导体p·N结发光源原理制成led问世于20世纪60年代初，1964年首先出现红色发光二极管，之后出现黄色led。直到1994年蓝色
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32
4------+vf N i总=单颗led的if值 2． 并联:这种电路需要电源能提供较高的电流. v总=单颗led的vf 值 i总=各led的if之和=if1+if2+if3+if
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262589.html2012/1/29 0:32:05
齐瀚光电(lustrous techNology ltd)推出高光效led新品N506，白光(5000k)在显色指数70时，可达140 lm/w，黄光(3000k)在显色指数90
https://www.alighting.cn/pingce/20120111/122962.htm2012/1/11 14:45:53
6 e" w% h* }+ c9 N9 b& b% c可防止一特定蒸汽或气体进入灯罩的灯具。防雨灯具：：用于室外能够防止雨水渗透的灯具。# p% {+ @$ ma' o- c
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261927.html2012/1/8 22:46:19
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261917.html2012/1/8 22:45:08
功率因子：电路中的功率与电流、电压均方根的乘积之比。* d- f" ?1 @* r4 N; i$ p对于正弦波来说，功率因子等于电压、电流位相差的余弦。
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261907.html2012/1/8 22:44:51
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3N4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261629.html2012/1/8 22:26:02
0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
