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、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263054.html2012/1/29 23:31:54
术的改善，信用卡将可加入更复杂的半导体与其它组件。将led (light-emitting diodes) 技术应用到薄膜上，之后可以嵌入许多装置中。目前agilight的led条
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262809.html2012/1/29 0:46:27
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
中，往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率，也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计，并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜，来提高芯片的侧
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26
前所见到的还是将荧光粉浆直接涂敷在芯片上面，同一块模组的荧光粉还是较一致，但对大批量生产就可能会出现不同的模组用眼睛看出色差来，较好的办法是使用led荧光粉薄膜或膜片，薄膜和膜片可
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262738.html2012/1/29 0:41:32
用旋涂、喷墨印刷等方法制备薄膜，从而有可能大大地降低器件生产成本，但目前该技术远未成熟。 由于 oled 具有高亮度、宽视角、响应速度快、易于实现高分辨率全彩色显示、低电压直
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262644.html2012/1/29 0:35:19
断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度，利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等，使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262639.html2012/1/29 0:35:04
有的应用于笔记本或桌面系统的lcd都使用薄膜晶体管（tft）激活液晶层中的单元格。tft lcd技术能够显示更加清晰，明亮的图象。早期的lcd由于是非主动发光器件，速度低，效率差，对比
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262600.html2012/1/29 0:32:51
