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利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,x
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引起
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
乌克兰基辅顶楼公寓由vyacheslav balbek, olga bogdanova, alena makagon设计。公寓是一个3级的阁楼，位于城市的心脏dniep??er河。
https://www.alighting.cn/case/2011/11/25/115224_43.htm2011/11/25 11:52:24
本文继续分享led封装工程师的个人调研总结，有兴趣的记得详细看噢！
https://www.alighting.cn/resource/20141210/123949.htm2014/12/10 11:20:55
sic功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对sic充满期待。滨田提到了sic制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用sic制功率元件，与使
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
aixtron ag公司日前宣布，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（ciomp）订购了该公司两套mocvd系统，分别是aix 200/4和aix 200/4 rf-s。
https://www.alighting.cn/news/20090511/101732.htm2009/5/11 0:00:00
