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[转载]台英合作led研发 开发高亮度led圆级封装制程

与业者进行技转授权。   牛津仪器集团总裁jonathan flint表示,牛津仪器专注于电浆蚀刻与化学气相沉积技术已有超过25年的经验,提供led上游图案化基板与中游

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230923.html2011/7/26 21:54:00

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

台湾登上国际照明规范制定舞台

究,同时与cie内其他led量测技术委员会合作,制定及整合led照明标准,目前已邀集各国、封装、设备等相关产业厂商与国家实验室,包含台湾、美、德、韩、大陆、澳等成立委员会并起草文

  http://blog.alighting.cn/panyray.100jn/archive/2011/10/29/249389.html2011/10/29 17:35:14

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

2011台湾led产业规模仍居全球第一

业链中、封装占比最大且成核心竞争,因此韩国与台湾业者间的竞争仍相当激烈,据统计,由于2012年led道路照明市场渗透率可望达到50%,台、韩政府也极力在led道路照明上给予自家业

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/12/26/260307.html2011/12/26 22:21:14

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

led照明普及之路需再走五年

月35%~50%幅度成长。照明产值占台厂及封装厂的产品组合比重,也从2011年初的不到10%,成长至2012年q1的平均25%。由于led光源具备高演色性、高可塑性等特质,在户

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/4/11/271937.html2012/4/11 13:34:31

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