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第406201号专利，要求首尔半导体对侵权进行赔偿。10月1日收到诉讼状后经过谨慎的分析结果，针对日亚化学工业（株）的诉讼，首尔半导体坚持持有以下自身的专利技术，并未侵犯日亚公司提及的上述专
http://blog.alighting.cn/123456/archive/2008/11/20/1537.html2008/11/20 14:40:00
光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为P-n结。在某些半导体材料的Pn结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多
http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/6/19/319445.html2013/6/19 15:40:34
子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以led的抗震性能好。 led结构图如下图所示发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n型半导体之
http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/6/19/319450.html2013/6/19 15:59:19
a：大功率：硅基底1w：3232、3220、3532说明：最高可达90lm3w：6363说明：最高可达180lm，常规为：100-120lm350ma*10.2v5w：6363
http://blog.alighting.cn/wcq666888/archive/2008/10/17/722.html2008/10/17 17:11:00
led 的实质性结构是半导体Pn 结，核心部分由P 型半导体和n 型半导体组成的晶片，在P 型半导体和n 型半导体之间有一个过渡层，称为Pn 结。其发光原理可以用Pn 结的能带结
https://www.alighting.cn/resource/2014/7/10/101123_26.htm2014/7/10 10:11:23
在市场中占据一席之地。库珀称他的iris照明系统是首个扎嘎认证的灯具P3led定向筒灯系列，采用符合扎嘎参考书3中定义的独立控制装置射灯光引擎设计。库柏照明iris P3led筒灯
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2012/6/6/277821.html2012/6/6 12:22:42
1962年．在美国通用电气公司工作的holonyak博士用gaasP化合物半导体材料研制出可商品化的led，发光效率仅为0.1lm/w。 1968年 monsanto和hP公司于正式批
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
e系列：xre系列为1-3w通用，以下光通量为350ma下数据，700ma光通量是350ma的1.65倍。最大电流可达到1000ma。视角为90度。 型号
http://blog.alighting.cn/sscp7led/archive/2010/9/20/98473.html2010/9/20 20:12:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
分迅速，现已达到常规材料如gaa1as、gaasP、gaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国hP公司研制成ingaa1P 620nm橙色超高亮度led，1992
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
