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led 的实质性结构是半导体Pn 结，核心部分由P 型半导体和n 型半导体组成的晶片，在P 型半导体和n 型半导体之间有一个过渡层，称为Pn 结。其发光原理可以用Pn 结的能带结
https://www.alighting.cn/resource/2014/7/10/101123_26.htm2014/7/10 10:11:23
在市场中占据一席之地。库珀称他的iris照明系统是首个扎嘎认证的灯具P3led定向筒灯系列，采用符合扎嘎参考书3中定义的独立控制装置射灯光引擎设计。库柏照明iris P3led筒灯
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2012/6/6/277821.html2012/6/6 12:22:42
1962年．在美国通用电气公司工作的holonyak博士用gaasP化合物半导体材料研制出可商品化的led，发光效率仅为0.1lm/w。 1968年 monsanto和hP公司于正式批
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
e系列：xre系列为1-3w通用，以下光通量为350ma下数据，700ma光通量是350ma的1.65倍。最大电流可达到1000ma。视角为90度。 型号
http://blog.alighting.cn/sscp7led/archive/2010/9/20/98473.html2010/9/20 20:12:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
分迅速，现已达到常规材料如gaa1as、gaasP、gaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国hP公司研制成ingaa1P 620nm橙色超高亮度led，1992
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
体,常温下的电阻率大于1011ω?;cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
般而言,hb led多指8lm/w(每瓦8流明)以上的发光效率。附注２：一般而言,hP led多指用电1w(瓦)以上,功耗瓦数以顺向导通电压乘以顺向导通电流(vf×i
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
力高达60000Psig（4000bar），可以满足发动机制造商新的要求。主要参数：精度: +/-0.25% bfsl稳定性（1年）:+/-0.25%fs（典型值）压力周期: 10
http://blog.alighting.cn/automt/archive/2011/2/23/135071.html2011/2/23 9:05:00
1无
http://blog.alighting.cn/AB123456/2008/11/13 10:25:43
