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如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极管(organic light emitting iode,oled),甚至是场发射式显示器(fiel
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以产生局部地方发热,因此出现直接击穿灯管和ic的故障。即使电压低于介质的击穿电压,也会发生这种故障。一个典型的例子是,led是pn结组成的二极管,发射极与基极间的击穿会使电流增益急
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产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
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子加速,并使之快速撞击到前玻璃基板所涂敷的荧光粉上以发出可见光。这样sed的发光原理用一句话来说明就是高速电子撞击荧光粉发光,这与普通电视显像管(crt)的原理是一样的,只是电子发
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理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化
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人从高压熔体中得到了单晶氮化镓体材料,但尺寸很小,无法使用,目前主要是在蓝宝石、硅、碳化硅衬底上生长。虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档氮化镓发光二极管产品,但高档产品只能在氮化镓
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制的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为
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i材料,其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离,这也是在外延加工中沉积的。目前,200 mm晶片中,外延片占1/3。2000
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体发光二极管(led)也是一种环保、节能、高效的固态电光源。在过去的一百多年中,照明光源经历了三个重要的阶段：白炽灯,荧光灯,hid灯。其中白炽灯是第一代光源,荧光灯是第二代光
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