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0ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μS,200μS,300μS,500μS,1mS,2mS ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μS(2ω),0.5-1μS(10ω),1.
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46189.html2010/5/26 11:54:00
± 10 % +30v.....+60v+10 % ri发生器内阻 2ω,4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μS,200μS,300μS,500μS,1mS,2mS
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46187.html2010/5/26 11:53:00
ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μS,200μS,300μS,500μS,1mS,2mS ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μS(2ω),0.5-1μS(10ω),
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46186.html2010/5/26 11:52:00
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46185.html2010/5/26 11:50:00
4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μS,200μS,300μS,500μS,1mS,2mS ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μS(2ω),0.5-1μS(10
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46184.html2010/5/26 11:49:00
] 图1 静电放电的电压瞬变 图2 雷电的瞬变场强有实验表明：在500 kv输电线下离地高2 i"13．的电磁干扰为60 hz，至于在各种通讯设备附近的电磁干扰则更为突
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46182.html2010/5/26 11:46:00
～500khz）Sae j1113-4 辐射电磁场抗扰度测量——bci法Sae j1113-11 针对电源线的瞬态传导抗扰度Sae j1113-12 通过传导和耦合产生的电气干扰～耦
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46180.html2010/5/26 11:43:00
向瞬变电压vc，如图4。线圈初始储能越大，关断速度越快，瞬变过电压就越高。实测结果，一般va为-100v～300v；iS为0.2S～0.5S。 这种类型的干扰虽然不具有连续
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46158.html2010/5/26 10:07:00
制，而且不允许产生可能导致路面上任何其他人混淆的异常，或者驾驶员对汽车直接控制的异常。 由于芯片几何尺寸不断减小，以及时钟速度的不断增加都会导致器件发射超过500mhz的时钟谐
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46156.html2010/5/26 10:02:00
5-30℃ â 仪器工作电源：交流 220±5v(建议配置交流净化稳压电源) â 输出功率：≤100w â 仪器重量：68kg â 测量元素范围: 从硫(S)至铀(u)
http://blog.alighting.cn/sully518/archive/2010/5/26/46150.html2010/5/26 9:44:00
