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发光二极管(light emitting diode，led)发明于20世纪60年代，它是利用半导体材料中的电子和空穴相互结合并释放出能量，使得能量带(energy gat，)位
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00
泵led驱动器件设计成可以支持超低电流的iCon模式，同时能够通过简单的单线式或传统的i2C串行总线提供两颗led的普通背光功能。除了支持最新的轻薄封装趋势外，这些产品也在设计上采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
低端8位微控制器(mCu)的出现，使设计工程师能够大幅度降低成本及系统复杂性，使用这种替代照明解决方案才能够有利可图。 由于低端mCu的使用，高亮度led(hbled)开发出
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
片spCe061a实现，数据处理速度快、可靠性高。 spCe061a和CyClone ep1C6简介 spCe061a是凌阳科技的一款16位微控制器，内嵌32kb闪存和2kb
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
于低成本的产品方案，可能会把整个驱动电路的成本放在第一位；对于手机应用，白光驱动电路对其他模块是否会产生emi干扰则是要重点考虑的因素；而在mp3应用中，又有可能对emi干扰不太关
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00
飞电容(C1和C2)要尽可能靠近iC安装。如果无法避免使用过孔，最好使其与C1和/或C2串联，而不要与Cin或Cinp串联，因为飞电容对器件的稳定性没有影响。 任何基准旁路电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134115.html2011/2/20 22:53:00
成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组led的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smd电容C1，C2，C3和二极管d1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
性，led光源在不同的C平面上有不同的光强分布曲线； （4）、目前已进入工业化生产的“白光”led，其光谱混合是不均匀的，其颜色分布像光强分布曲线一样，是随距离和角度的不同而发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00
需将r2值改为2.2kω，同时电容C1也须有更高的额定电压，电路基本工作原理如下： 当q1导通时，电流流过led、电容C2和电感。当r1两端的压降达到isense引脚的阈值电压
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
1(1C1)的p1．0～p1．4低5位口线和外部中断intl上实现键盘输入和led显示器的扩展，其他口线全部留给用户使用。p1．0，p1．1分别为键盘扩展芯片74lsl64(1C
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134101.html2011/2/20 22:21:00
