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本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
术优势,而其最新研发方向主要是掺杂微量元素以改进材料性能和增加微结构以提高芯片亮
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126680.htm2012/3/12 11:45:34
响。研究结论是：晶片的颜色与gt asf中生长的材料颜色之间不存在关联，由此证明晶锭级和晶棒级gtasf蓝宝石的浅粉色对led晶片颜色无任何影
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:07:54
以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
热对流;sapphire衬底材料极低的热导率导致器件热阻增加，产生严重的自加热效应，对器件的性能和可靠性产生毁灭性的影
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54
n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26
利用ansys软件对大功率led进行三维有限元热分析，并绘制了其受不同因素影响时器件的温度云图，通过比较各种因素对散热性能的影响，得出结论：在经过必要的选材优化后，对于材料热导
https://www.alighting.cn/resource/20110801/127360.htm2011/8/1 10:52:34
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
