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d的封装形式主要有支架式led、表贴式led及功率型led三大主类。 led的封装设计包括外形结构设计、散热设计、光学设计、材料匹配设计、参数设计等。 支架式led的设计已相对成
http://blog.alighting.cn/tinking/archive/2010/9/13/96614.html2010/9/13 16:42:00
行选区刻蚀，一直深入到衬底。这样就形成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan外延片层的生长，此时生长的gan外延片层悬空于沟槽上方，是在原gan外延片
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
阶。 贴片式led的设计尤其是顶部发光top型smd处在不断发展之中，封装支架尺寸、封装结构设计、材料选择、光学设计、散热设计等不断创新，具有广阔的技术潜力。 功率型le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126780.html2011/1/9 21:17:00
端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00
用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新台阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
n具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,gan晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个无胞中有4个原子,原子体积大约为gaas的一半。因为其硬度
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/zsoygs/archive/2011/8/30/234250.html2011/8/30 9:28:00
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/5/277762.html2012/6/5 15:39:51
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/11/281455.html2012/7/11 17:03:45
度看，外需下降并不是坏事，它逼迫我们多年外需导向型的经济增长方式转型，这有益于中国的持续增长。业内人士表示，现在不改变增长模式，未来的产能过剩问题会更加突出，结构矛盾也会更加深重。
http://blog.alighting.cn/charles/archive/2009/3/24/9800.html2009/3/24 9:50:00
