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led芯片的技术发展状况

于5-10 nm,但是要使光吸收最小,则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄,这样在透光和扩展电阻二者之间则要给以适当的折衷,折衷设计的结果必定使其功转换的提高受到了限制。 

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

于5-10 nm,但是要使光吸收最小,则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄,这样在透光和扩展电阻二者之间则要给以适当的折衷,折衷设计的结果必定使其功转换的提高受到了限制。 

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

于5-10 nm,但是要使光吸收最小,则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄,这样在透光和扩展电阻二者之间则要给以适当的折衷,折衷设计的结果必定使其功转换的提高受到了限制。 

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

于5-10 nm,但是要使光吸收最小,则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄,这样在透光和扩展电阻二者之间则要给以适当的折衷,折衷设计的结果必定使其功转换的提高受到了限制。 

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

于5-10 nm,但是要使光吸收最小,则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄,这样在透光和扩展电阻二者之间则要给以适当的折衷,折衷设计的结果必定使其功转换的提高受到了限制。 

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

于5-10 nm,但是要使光吸收最小,则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄,这样在透光和扩展电阻二者之间则要给以适当的折衷,折衷设计的结果必定使其功转换的提高受到了限制。 

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

于5-10 nm,但是要使光吸收最小,则niau欧姆接触层的厚度必须非常薄,这样在透光和扩展电阻二者之间则要给以适当的折衷,折衷设计的结果必定使其功转换的提高受到了限制。 

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

管型基元led的研究

该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12

管型基元led的研究

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10

浅谈白光led照明

泛,长至即将要枯竭。  中国属发展中国家,近几年持续取得了两位数的经济发展速度。但所消耗的资源是十分惊人的(1),是以高消耗、高污染、低效取得。按现行汇计算,每百万美金国内生产总

  http://blog.alighting.cn/1207/archive/2008/5/27/8889.html2008/5/27 15:02:00

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