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几点led产业发展的个人观点

业发展的关键。二、向下游延伸或加强与应用的互动是led封装企业的主攻方向。我国led封装行业与国际先进水平差距较小,目前主流技术已从直插式、贴片式,向倒装、集成封装等形式发展,基本

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/4/10/313912.html2013/4/10 10:11:27

世界那么大 该放就放下——飞利浦照明被收购的冷思考

业的江湖地位众所周知,在祝贺与自豪同时,我们更多的应该是冷思考: 此次飞利浦照明被收购,主要有两大原因:一方面,lumileds拥有全球领先的倒装制程的大功率led技术。随着led照

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2015/4/28/368669.html2015/4/28 10:33:19

我看不见自己的眼睛

想也是,所以我把它层层包裹,在黑暗里静静地哭泣。 我把一本书藏在我的生命里。多年后的今天,在网络上有人要我填下:在一生中影响你最大一本书的名称。我以拼音倒装的形式,虔诚地写下它的名

  http://blog.alighting.cn/q7hc1p/archive/2009/7/23/4702.html2009/7/23 14:03:00

led的发展及其市场前景

w), 再加上多量子阱结构,红发光效率率达到73.7lm/w, 近两年来采用截头锥体倒装结构技术,红、黄和绿光led可分别达到102lm/w、68lm/w 和18lm/w,台

  http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00

led封装技术及荧光粉在封装中的应用

司在1998年推出的luxeon led,该封装结构的特点是采用热电分离的形式,将倒装芯片(flip chip)用硅载体直接焊在热沉上,并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材

  http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/7/27/58017.html2010/7/27 11:36:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

" width=360   从结构图中看出,si衬底芯片为倒装薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

1。      从结构图中看出,si衬底芯片为倒装薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

国内led全产业链上市公司汇总

做直下式,用倒装技术,特点是不用金线。 下游 应用环节分属各自行业(如照明、tv、汽车等),未来市场空间巨大,但目前行业高度分散且无明显龙头企业。 证通电子(15.93,

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/2/10/131885.html2011/2/10 8:49:00

国内led全产业链上市公司汇总

做直下式,用倒装技术,特点是不用金线。 下游 应用环节分属各自行业(如照明、tv、汽车等),未来市场空间巨大,但目前行业高度分散且无明显龙头企业。 证通电子(15.93,

  http://blog.alighting.cn/cathycao99/archive/2011/2/12/132339.html2011/2/12 13:15:00

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