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阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115038.html2010/11/18 17:03:00
界的热交换。常用的散热基板材料包括硅、金属(如铝，铜)、陶瓷(如al2o3，aln，sic)和复合材料等。如nichia公司的第三代led采用cuw做衬底，将1mm芯片倒装在cuw衬
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115035.html2010/11/18 16:56:00
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115034.html2010/11/18 16:41:00
晶科电子(广州)有限公司的1瓦大功率led、大功率led模组芯片、1瓦大功率led倒装芯片通过了“广东省自主创新产品”的认定，并因此获得了政府采购的首选资格，有效期为三年。
https://www.alighting.cn/news/20101118/n310529159.htm2010/11/18 9:03:05
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00
2.2硅底板倒装法： 首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸led芯片（flip chip led）。同时制备出相应尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
在近日公布的2010年广东省自主创新产品目录中，晶科电子(广州)有限公司的1瓦大功率led、大功率led模组芯片、1瓦大功率led倒装芯片通过了“广东省自主创新产品”的认定，并因
https://www.alighting.cn/news/20101118/105823.htm2010/11/18 0:00:00
近日晶科电子(广州)有限公司自主研发的1瓦大功率led、大功率led模组芯片、1瓦大功率led倒装芯片3项产品获2010年广东省自主创新产品认定，充分显示了晶科电子(广州)有限公
https://www.alighting.cn/news/20101118/118636.htm2010/11/18 0:00:00
https://www.alighting.cn/news/20101117/117412.htm2010/11/17 16:53:26
10月21日—23日，主题为“合作创新 整合优化 持续发展”的第八届中国国际半导体博览会暨高峰论坛在苏州国际博览中心拉开帷幕，国内led 大功率芯片专家——晶科电子携其新品倒装
https://www.alighting.cn/news/20101108/118069.htm2010/11/8 0:00:00
