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面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类
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料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它具有标准pw所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。历史上,外延片是由si片制造商生产并自
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区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提
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e的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性晶圆生长或侧向晶圆生长技术采用这种技术可以进一步减少位错密度,改善gan晶圆层的晶
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个方面：• [1]结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度孝结晶性能好、缺陷密度小；• [2]界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强；• [3]化学稳定性
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流)调节,本身又耐冲击、抗振动、寿命长(10万小时)。氧造led的材料不同,可以?a生具有不同能量的光子,藉此可以控制led所发出光的波长,也就是光谱或??色。史上第一个led所使
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子计算机、通讯设备和电视机、录放机中得到了应用。开关晶体管、开关二极管和开关变压器是组成开关电源的三个关键元件,减小开关电源的体积和重量就须提高电源的开关频率,大功率,高反压和高速开
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子施加电压, 当电流通过时,促使电洞与电子相互结合,其它剩鹞能量便会以光的形式?a生释放,其能阶高低使光子能量?a生不同波长的光,以致於造就led?榛?础的半导体照 明?a业链。另
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质上是电流器件。电子空穴对在场致发光化合物内复合,并且在复合时发射光子。电流的增大会相应提高复合速度和光通量输出。这一过程的效率不是 100%(几乎达不到100%),因此电流的增大还
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led驱动电路概述1． 概述??led是一种固体光源,当它两端加上正向电压,半导体中的少数载流子和多数载流子发生复合,放出的过剩 能量将引起光子发射。采用不同的材料,可制成不同颜
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