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氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
大规模mocvd反应设备、低成本led光刻和照明细分市场等也成为此次论坛的主要内容，特别值得关注的是，对于衬底材料(硅衬底)的研发，此次论坛上有六位演讲者在其发言中重点提及，而
https://www.alighting.cn/news/20120327/99508.htm2012/3/27 16:13:30
对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽，说明pssleds具有较高的晶体质量。
https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07
2011-2014年2寸蓝宝石基板价格趋势可以看出，2011年开始蓝宝石价格急速下滑，在接下来的两年蓝宝石价格几乎难以回到以往的价位。到了2014年第一季度，蓝宝石价格再应用端的带
https://www.alighting.cn/news/20140723/87272.htm2014/7/23 10:28:49
硅衬底uv led四芯系列玻璃封装产品，为晶能光电（江西）有限公司2018神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20180328/155955.htm2018/3/28 11:26:52
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
作为led衬底材料的蓝宝石成为led产业链条上一种关键的原材料，其品质的好坏对中下游产品的生产有着严重影响。蓝宝石长晶技术与设备工艺成为蓝宝石品质的重要保障。
https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:22:29
