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led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光电
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
光宝科执行长滕光中指出，去年是led最坏的一年，整个产业经过这一波的秩序调整，2012年可迈向健康发展的路。led磊晶厂晶电、亿光认为3月需求开始可见逐步回笼，亿光亦自信公司在今年
https://www.alighting.cn/news/20120105/89544.htm2012/1/5 10:24:39
可用于制造一些特殊的监控设备。三、碱土和过渡金属复合氧化物红色荧光粉硫化物红色荧光粉稳定性还有待于进一步提高,而稀土铝(镓)酸盐红色荧光粉不能被紫光和紫外光有效激发。为此,我们研
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
尼日利亚soncap认证 soncap认证从2005年9月1日起开始生效，并给予了90天的宽限期，即于2005年12月1日起正式执行。 2009年6月份尼日利亚证书新的规定，要求
http://blog.alighting.cn/agc888/archive/2009/12/19/21835.html2009/12/19 14:39:00
随着广镓董监改选的完成，广镓也正式成为晶电的成员。市场预期未来广镓在产品的研发、生产、业务、采购等各方面，都将与晶电有更进一步的整合。
https://www.alighting.cn/news/20100908/117959.htm2010/9/8 11:12:10
美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(gan-on-gan)新成立公司soraa来引领gan基质研发项目。
https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
