站内搜索
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00
来自aixtron se公司官方网发布的消息，aixtron se最新推出的crius ii-l mocvd反应器将mocvd反应器的容量，生产能力和led生产成本都提升到新的高度
https://www.alighting.cn/news/20110708/100348.htm2011/7/8 9:19:09
https://www.alighting.cn/news/20110214/116074.htm2011/2/14 16:25:00
量以光的形式激發釋出。自從1960年代利用gaasp液相外延技術生產出第一顆實用的紅光發光二極體，直到1993年日本日亞化學公司發展出氮化鎵(GaN)發光二極體，突破藍光發光二極體
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
为热门的是inGaN、a1GaN、GaN等ⅲ族氮化物led的应用研究，该类管发射出的蓝绿光、蓝光、紫外光既可与红光、绿光发光二极管合成为白光，也可直接用来激发荧光粉发射出白光。因
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
近日，aixtron ag公司表示，台湾高亮度led制造厂商广鎵光电利用其aix 2800 ht系统后，产量显着增加，产品质量优异。 huga optotech在其台中工业区工厂内
https://www.alighting.cn/news/20071024/93803.htm2007/10/24 0:00:00
于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
近日，三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。
https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
