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晶能光电衬底大功率led通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/20140522/110824.htm2014/5/22 10:11:13

基大功率led芯片进步神速,晶能光电融资扩产

记者从南昌高新区政府获悉,晶能光电新一期扩产融资款已经到账。自2012年6月晶能光电于全球率先宣布实现基大功率led芯片量产以来,其产品性能提升突飞猛进,光效由最初发布的12

  https://www.alighting.cn/news/20130513/112701.htm2013/5/13 13:30:49

剑桥大学ccs系统实现6英寸晶片生长氮化镓

据爱思强称,剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片,实现在6英寸晶片上生长氮化镓外延,继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实

  https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23

日本信越化学将在越南投资led灯基材料

据越南通讯社消息,日本最大的化学公司——信越化学株式会社将在越南投资建两个工厂,分别生产高亮度led灯用的基材料和高纯稀土材料,总投资50亿日元,约合6400万美元。

  https://www.alighting.cn/news/20120203/114967.htm2012/2/3 14:32:21

白皮书 | 衬底led技术现状、应用情况及趋势展望

led产业在过去近10年的发展突飞猛进,led光源器件的性能呈台阶式上升且成本在不断下降,大部分光源领域基本上都被led所取代。那么,目前衬底led技术、市场现状以及未来发展趋

  https://www.alighting.cn/news/20181227/159634.htm2018/12/27 10:15:52

晶圆发光技术探索

晶长膜领域中,要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合,基于发光元件高辉度要求,不断增大发光元件的发光面积,随着该面积变大,消费电力也随着急遽暴

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00

晶能光电:大尺寸衬底氮化镓基led

讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局,新世纪led网记者独家专访了晶能光电有限公司衬底led研发副总裁孙钱博

  https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14

科锐推最新低基面位错100毫米4h碳化外延片

科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示:“碳化双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25

芯光电开发出突破性1.9mm点距led显示面板技术

突破性1.9mm点距led显示面板技术是采用芯光电科技有限公司所开发的高度集成、低功耗led驱动芯片所成功实现的。该芯片可驱动高达128 个rgb(红-绿-蓝)led像素,从而

  https://www.alighting.cn/news/20111220/114778.htm2011/12/20 9:32:09

华润威新推pt4115绿色照明led灯驱动电路

据悉,华润威科技(上海)有限公司新推出pt4115绿色照明led灯驱动电路。pt4115是一款连续电感电流导通模式的降压恆流源。

  https://www.alighting.cn/news/20080731/104283.htm2008/7/31 0:00:00

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