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大尺寸平面显示器led背光源发展--产品篇

发光二极(light emitting diode;led)目前已经达到高辉度、多色化与高发光效率的目标,同时也为消费性电子产品与相关应用商品投下更多的市场变化,在平面显示器产

  https://www.alighting.cn/news/20060728/92112.htm2006/7/28 0:00:00

白光led照明超过彩色led应用

在很多家庭、机构、政府和工业应用中,高亮度(hb)白光led(发光二极)正在迅速取代白炽灯。在过去的一年中,白光led照明系统在总的照明应用中占到50%以上,最终超过了彩色le

  https://www.alighting.cn/news/20090819/93345.htm2009/8/19 0:00:00

我国led显示屏产业初具规模

我国led显示屏产业初具规模led显示屏在我国发展速度非常迅速,目前国内的led显示屏生产厂家已逾百家,近年来原来许多国内生产发光二极的半导体厂家不断加盟到led显示屏的生产行

  https://www.alighting.cn/news/20091130/95992.htm2009/11/30 0:00:00

香港先思行入股韩wave square明年初试产

香港先思行(0595)行政总裁苏智安于记者会上表示,该公司刚布入股的发光二极芯片公司wave square预期明年初开始试产,每月产量为600万片led芯片,第二季可于韩国市

  https://www.alighting.cn/news/20071102/120716.htm2007/11/2 0:00:00

【led术语】量子阱(quantum well)

利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低,因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中,量子阱构造用于放射光的活性层。

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46

硅衬底GaN基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN发光二极(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

基于双光栅结构下特征参量与GaN基led光提取效率的动态关系

为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN发光二极外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN发光二极芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29

飞利浦照明在新加坡开始生产高性能发光二极产品

飞利浦照明最近宣布在新加坡开始生产高性能发光二极投资项目。产品将于2007年4月前面世。另外,2007年底预计飞利浦发光二极产品产量将有一倍的升幅。

  https://www.alighting.cn/news/200726/V258.htm2007/2/6 9:12:49

sj/t 11281-2007 发光二极(led)显示屏测试方法

本标准规定了发光二极(led)显示屏的机械、光学、电学等主要技术性能指标的分级和测试方法。本标准适用于各类发光二极(led)显示屏(以下简称显示屏)的测试。

  https://www.alighting.cn/news/20111025/109517.htm2011/10/25 18:33:39

利用led的投影系统光源设计

设计了利用多颗led(light emitting diode,发光二极)阵列组成的扩展面光源.经过合理的聚光设计使之符合某些投影设备对亮度要求不是很高,但结构紧凑、性能稳定

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127163.htm2011/9/13 8:58:08

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