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2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
近期，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80测试数据。
https://www.alighting.cn/news/20131016/n241757471.htm2013/10/16 8:58:15
近日，tt electronics/optek technology公司开发出一种导热的铝制散热衬底，称为高导热optotherm ocb201系列，可用于可见光发光二极体（le
https://www.alighting.cn/news/20080318/107021.htm2008/3/18 0:00:00
项目落户包头装备制造产业园区新规划区，总投资50亿元人民币，达产后可形成年产2500万片led蓝宝石衬底，预计可实现年销售收入100亿元以上。
https://www.alighting.cn/news/20110728/114833.htm2011/7/28 11:44:23
针对倒装芯片(flipchip)大功率发光二极管器件，描述了大功率led器件的热阻特性，建立了flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线，以三类典型粘
https://www.alighting.cn/resource/2009316/V782.htm2009/3/16 11:19:37
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目(下称“硅衬底项目
https://www.alighting.cn/news/20151222/135509.htm2015/12/22 9:52:17
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
大规模mocvd反应设备、低成本led光刻和照明细分市场等也成为此次论坛的主要内容，特别值得关注的是，对于衬底材料(硅衬底)的研发，此次论坛上有六位演讲者在其发言中重点提及，而
https://www.alighting.cn/news/20120327/99508.htm2012/3/27 16:13:30
