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mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

王立雄:攻坚克难 勤于学而勇于实践

康的各种光。国际上一般将光污染分成3类,即白亮污染、人工白昼和彩光污染。  城市亮化带来的光污染,是属人工白昼这一部分。反观夜间,就是城市中广告灯、景观照明装置闪烁夺目,使人夜晚难

  http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/10/9/243632.html2011/10/9 14:10:44

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

mocvd制备in_xga_(1-x)n/gan mqws的温度依赖性

利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39

led走向室内照明 将理想照进现实

响器件的内量子效率及发光效率,周边配件质量也制约led的使用寿命。  结语:  从目前国内外的技术发展来看,led进入千家万户室内照明是一个必然的过程。合理有效的政府组织,加上我

  http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/9/26/239331.html2011/9/26 13:24:02

led激发光源的水体浮游植物浓度活体检测系统研究

采用5种不同中心激发波长的超高亮led作为激发光源构建了一套水体浮游植物活体荧光检测系统。利用该系统测量24种不同来源水样和同一水样10种不同比例稀释样品的浮游植物活体荧光强度,研

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127108.htm2011/9/21 9:18:36

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

gan基led溢出电流的模拟

通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20

城市夜景照明的色度学设计

r temperature,如图2)。  彩光以色调( 或波长) 表示, 白光以色温表示。图2 cie1931 坐标系中的黑体轨迹与等色温线  近年来,色温对人眼视觉效能影响的研究越

  http://blog.alighting.cn/61650/archive/2011/9/18/236787.html2011/9/18 22:32:00

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