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http://blog.alighting.cn/jkutyt/archive/2010/6/15/50189.html2010/6/15 12:56:00

度的数字转换为像素点发光的时间(d/t转换),即实现了亮度的d/a转换。　　设屏幕数据刷新的周期为,控制任意像素点亮度的数据为N位二进制数d=bi2i(其中bi=0或1),toN

http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143430.html2011/3/17 21:53:00

度的数字转换为像素点发光的时间(d/t转换),即实现了亮度的d/a转换。　　设屏幕数据刷新的周期为,控制任意像素点亮度的数据为N位二进制数d=bi2i(其中bi=0或1),toN

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261339.html2012/1/8 20:19:40

间(d/t转换),即实现了亮度的d/a转换。　　设led光栅屏屏幕数据刷新的周期为,控制任意像素点亮度的数据为N位二进制数d=bi2i(其中bi=0或1),toN为相应于d的发光时

http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2012/7/20/282789.html2012/7/20 10:45:39

全保护 2容量40ka 3速反应（2-25N秒 ) 4残压，真正3级虑压保护 5维护 6对线保护 7压低,漏电流小 8止弱电子设备受过电压浪涌的破坏;

http://blog.alighting.cn/bjdjspd2/archive/2009/5/13/3381.html2009/5/13 13:44:00

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究，这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上，通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42

到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂zN后，未掺杂显N型的gaN材料转变为p型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×1018cm-3。利用二次离子质谱方法对zN含量进行测

https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

liNear公司的lt3755和lt3755-1是大电流dc/dc控制器,可作为恒流源用来驱动大电流led.lt3755和lt3755-1通过内部的7v稳压源来驱动低边N沟功

https://www.alighting.cn/resource/2008728/V555.htm2008/7/28 10:55:23

在si衬底上生长了oaN基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同N层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸

https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38