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2005年7月13日：一些专家认为，GaN可以在氧化锌(zno)衬底生长以制作无需荧光粉的白光leds，这种器件有可能获得更大的光输出并改善器件效能。
https://www.alighting.cn/resource/20050930/128446.htm2005/9/30 0:00:00
美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作，在纽约州水牛城建立半导体制造工厂，并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品，预计将在2015年投
https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30
芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。
https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29
与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36
因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，micro led成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大
https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53
虽然GaN leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
http://blog.alighting.cn/yanqihui2008/2008/9/22 15:05:49
在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
近日，ims reseach 发布了最新《GaNg led季度供需报告》，报告显示，2011年 GaN led封装总产值为80亿美元，同比下降了6%。2016年，GaN led市
https://www.alighting.cn/news/20120329/99682.htm2012/3/29 17:26:59
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
