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就是说,中微的 mocvd 设备可以以并行或者串行模式运行,这就减少了交叉污染,并且保证了晶体的高质量,这是先进的 led 器件所必需的。中微的mocvd设备在占地面积上也有相当的优
http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/3/14/310903.html2013/3/14 15:10:01
一份关于led用蓝宝石基板(衬底)的详细介绍,现在分享给大家,欢迎大家下载查看。
https://www.alighting.cn/2013/3/13 10:30:12
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
因照明用led需求大增,三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍,以藉此满足顾客端强劲的需求。
https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23
以高亮度GaN 基蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 基材料的基本特性, 分析了ga
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
此次发布会上,天通公司首次展示了具有业界领先水平的90公斤级c轴蓝宝石晶体。省政府领导、行业专家及企业代表参加了揭幕仪式,并对天通公司成功生产90公斤led级c轴蓝宝石晶体的意
https://www.alighting.cn/news/20130311/112794.htm2013/3/11 9:30:06
因照明用led需求大增,三菱化学计划在2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。目前,三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产GaN基板,生产的产品直径为
https://www.alighting.cn/news/2013311/n055549523.htm2013/3/11 9:11:27
本论文目标就是以方法简便为原则,探索无污染、低成本的提高GaN 材料晶体质量的方法。在具体的工作中,我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长GaN 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
简述了led的发展历史,讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理,以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段,同时也对这些方法的优缺点进行了分析,对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
纳米级硅晶体具有发光潜能,德国kit和多伦多大学的科学家成功地采用这些晶体生产出硅基led(sileds)。
https://www.alighting.cn/pingce/20130306/121868.htm2013/3/6 16:16:32