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蓝宝石晶圆具有肉眼可视的特殊取向。rubicon已经开发了一种工艺，制作可通过视觉或触觉检测取向的非对称晶圆。这很重要，因为led和半导体制造商采用特殊晶体取向处理蓝宝石晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20130407/121856.htm2013/4/7 11:08:44
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
nvidia目前主要或者说唯一的晶圆代工合作伙伴就是台积电(tsmc)，2011年底到2012年上半年困扰他们的问题就是tsmc的28nm产能不足，以致于kepler芯片出货不
https://www.alighting.cn/news/201341/n178750234.htm2013/4/1 10:36:28
https://www.alighting.cn/news/20130401/112112.htm2013/4/1 9:57:10
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型GaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将GaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
太阳能与led产业景气低迷，台湾两大晶圆代工厂台积电及联电也遭受冲击，两公司去年绿能新事业投资合计亏损逾90亿元新台币(下同)。
https://www.alighting.cn/news/20130325/112175.htm2013/3/25 12:00:22
