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此得名为“led显屏霓虹灯”，是传统霓虹灯改型换代的优质适用产品。 主要优特点如下： 1、低功耗：dc5V供电，特别省电（比霓虹灯节能85%，全彩显屏霓虹管最高功耗4.8w/
http://blog.alighting.cn/mzsm888/archive/2010/7/8/54558.html2010/7/8 11:18:00
超好。主要优特点如下： 1、低功耗：dc5V供电，特别省电（比霓虹灯节能85%，全彩显屏霓虹管最高功耗4.8w/米，实际平均功耗0.9w/米；单根单色显屏霓虹管最高功耗 1.6w）。
http://blog.alighting.cn/mzsm888/archive/2010/8/6/69520.html2010/8/6 10:01:00
http://blog.alighting.cn/mzsm888/archive/2010/8/6/69521.html2010/8/6 10:02:00
阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.50.6V,通过光照在界面层产生的电子一空穴对越多，形成的电流越大。界面层吸收的光能越多，同
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/9/95839.html2010/9/9 16:46:00
中的最高允许浓度为每立方米0.01毫克。它还可以随着空气而流动.一旦进入人体的汞超过某一阈值，就会破坏人的中枢神经系统，造成对身体的极大危害。汞进入人体后很难被排除。 笔者工
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98269.html2010/9/19 21:41:00
n膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度；另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5 V的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
致gan膜出现龟裂，晶格常数差会在 gan外延层中造成高的位错密度。ganled还可以因为si与gan之间有0.5V的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p-型掺杂效率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5V的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
地。光源的cri是对忠实重现被照物体颜色的能力的一种度量。单色光源的cri为0，这是因为只有一种颜色被重现。白炽灯的cri几乎接近100，这可能是cri的最大值。白炽灯在零售业照明中
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133813.html2011/2/19 23:10:00
比fpga，工作电压3.3V，内核电压1.5V。采用0.13μm工艺技术，全铜sram工艺，其密度为5980个逻辑单元，包含20个128×36位的ram块（m4k模块），总的ram空
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133850.html2011/2/19 23:30:00
