站内搜索
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
子加速,并使之快速撞击到前玻璃基板所涂敷的荧光粉上以发出可见光。这样sed的发光原理用一句话来说明就是高速电子撞击荧光粉发光,这与普通电视显像管(crt)的原理是一样的,只是电子发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极管(organic light emitting iode,oled),甚至是场发射式显示器(fiel
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00
理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
人从高压熔体中得到了单晶氮化镓体材料,但尺寸很小,无法使用,目前主要是在蓝宝石、硅、碳化硅衬底上生长。虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档氮化镓发光二极管产品,但高档产品只能在氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
制的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
i材料,其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离,这也是在外延加工中沉积的。目前,200 mm晶片中,外延片占1/3。2000
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
体发光二极管(led)也是一种环保、节能、高效的固态电光源。在过去的一百多年中,照明光源经历了三个重要的阶段：白炽灯,荧光灯,hid灯。其中白炽灯是第一代光源,荧光灯是第二代光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00
亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
路照明灯具的现状和缺陷目前道路灯具中普遍采用的光源是高压钠灯或金属齿化物灯,这两种光源的最大特点是,发光的电弧管尺寸小,由尺寸很小的电弧管产生很大的光输出,并且具有很高的光效,前
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229927.html2011/7/17 23:20:00
