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2006年9月8日，在芬兰首都赫尔辛基举行的2006年“千年技术奖”颁奖仪式上，芬兰总统哈洛宁将100万欧元的奖金颁发给蓝光led发明人、现美国加利福尼亚大学圣芭芭拉分校教授及研
https://www.alighting.cn/news/20060912/102878.htm2006/9/12 0:00:00
2006年9月5日，《nature materials》杂志十月刊中的一篇文章(由中村修二(shuji nakamura)合著)将介绍gan基蓝光led的亮度比一些被看好的材料所
https://www.alighting.cn/news/20060906/102776.htm2006/9/6 0:00:00
以gan 基蓝光l ed 芯片为基础光源制备了大功率蓝光led ,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led 进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结
https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
新华网赫尔辛基6月15日电(记者赵长春)芬兰技术奖励基金会15日宣布，将本年度的“千年技术奖”授予蓝色发光二极管发明者中村修二，他将因此获得100万欧元的奖金。
https://www.alighting.cn/news/20060619/101715.htm2006/6/19 0:00:00
2006年4月17日，英国贸工部下的global watch service将于5月18日在索利赫尔(solihull)国家摩托车博物馆(national motorcycl
https://www.alighting.cn/news/20060421/101029.htm2006/4/21 0:00:00
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
作为一种化合物半导体材料，gan材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中gan区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
众所周知，蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有yag的树脂薄层，约200-500nm。 led基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到
https://www.alighting.cn/resource/20060301/128923.htm2006/3/1 0:00:00
斯坦利电气(stanley electric)最近展出了可将大功率白色发光二极管(led)用于近光灯及远光灯的前照灯样品。目前大部分汽车照明灯具厂家一般只在近光灯上使用白色le
https://www.alighting.cn/news/20060207/102348.htm2006/2/7 0:00:00
