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led结温产生的根本原因及处理对策

率的限制是导致led结温升高的主要原因。目前,先进的材料生长与元件制造工艺已能使led极大多数输入电能转换成光辐射能,然而由于led芯片材料与周围介质相比,具有大得多的折射係数,致

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274790.html2012/5/16 21:31:57

照明用led驱动器需求和解决方案分析

白光led。led照明应用需求分析当然,所有这些进步不仅促进了led在不同应用中作为照明光源的使用,同时也刺激了对led驱动器ic的需求。要了解设计和制造led驱动器ic面临哪些障

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274782.html2012/5/16 21:31:25

高亮度led封装工艺技术及方案

商们之重点开发项目。现时制造白光led方法主要有四种:  一、蓝led+发黄光的萤光粉(如:yag)  二、红led+绿led+蓝led  三、紫外线led+发红/绿/蓝光的萤光

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22

未来新星 浅谈oled显示技术

示技术及相关产业的产品占到信息产业总产值的 30% 以上,成为电子信息产业的基础支撑产业之一,其发展快慢、技术水平高低,直接影响整个电子信息制造业的发展。   显示技术的不断进步带

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274775.html2012/5/16 21:31:05

正确理解led显示屏的主要性能指标

计技术的要求,不应该做为 led 显示屏产品标准的一项性能指标;大家很明白,有哪个用户会在意显示屏的驱动占空比,他们在乎的是显示屏的效果,而不是我们的技术实现;我们何必自己制造这种技

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274772.html2012/5/16 21:30:56

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

小型lcd背光的led驱动电路设计考虑因素

数。  2. 仔细考虑led选择  led技术持续快速改进,制造商在使用新的材料、制造技术和led设计来为同等大小的电流释出更大的光输出,这样一来,几年前需要4个led进行背光的显示

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274759.html2012/5/16 21:30:18

高亮度led发光效益技术

靠性的一大威胁。  静电释放(esd)  对电子设备的静电损害 (electrostatic damage;esd)可能发生在从制造到使用过程中的任何时候。如果不能妥善地控制处

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13

oled 进入手机主显示应用

室阶段,尚未完全商业化。而pmoled的制造商也努力生产更大尺寸和更高占空比的产品,尽量与stn lcd和tft lcd分享手机的庞大市场。  虽然pmoled在高占空比的应用上面

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274756.html2012/5/16 21:30:02

采用led光源的道路灯具应关注的焦点

路),已达到40lm/w,再加上照明用led制造成本的大幅下降,所以照明用白光led已具备应用到一些照明领域的商用条件。中国照明网技术论文·led技术  但是,由于我国从计划经济时代以

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274749.html2012/5/16 21:29:42

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